اسم (Noun)
/ˈtʃoʊx.rɑːl.ski ˈtɛk.nɪk/
تقنية تشوشالسكي
تقنية تشوشالسكي هي طريقة تستخدم في علم المواد لزرع بلورات أحادية من العناصر أو المركبات باستخدام عملية تذويب. يتم حقن مادة مُصنعة في قالب ذوبان، حيث يتم سحب البلورة ببطء من السائل عند درجة حرارة مناسبة، مما يسمح للبلورة بالنمو بشكل تدريجي ومتسق.
هذه التقنية شائعة الاستخدام في مجال علوم المواد، خاصة في صناعة أشباه الموصلات والأكاسيد. يتم استخدام "تقنية تشوشالسكي" بشكل متكرر في الكتابات الأكاديمية والتقنية أكثر من الاستخدام الشفهي.
The Czochralski technique is widely used to grow single crystals for semiconductor devices.
تٌستخدم تقنية تشوشالسكي على نطاق واسع لزرع البلورات الأحادية لأجهزة أشباه الموصلات.
Researchers applied the Czochralski technique to fabricate high-quality silicon wafers.
قام الباحثون بتطبيق تقنية تشوشالسكي لصناعة رقائق السيليكون عالية الجودة.
The efficiency of the Czochralski technique largely depends on the temperature control during the crystallization process.
تتوقف كفاءة تقنية تشوشالسكي إلى حد كبير على التحكم في درجة الحرارة خلال عملية التبلور.
"Using the Czochralski technique, we can achieve nearly perfect crystal structures."
"باستخدام تقنية تشوشالسكي، يمكننا تحقيق هياكل بلورية قريبة من الكمال."
"The Czochralski technique is at the forefront of modern crystallography research."
"تقنية تشوشالسكي في طليعة أبحاث البلورات الحديثة."
"Many industries rely on the precise application of the Czochralski technique."
"تعتمد العديد من الصناعات على التطبيق الدقيق لتقنية تشوشالسكي."
"Mastering the Czochralski technique can significantly enhance our material production capabilities."
"يمكن أن يسهم إتقان تقنية تشوشالسكي بشكل كبير في تعزيز قدرات إنتاج المواد لدينا."
سُميت هذه التقنية نسبةً إلى العالم البولندي Jan Czochralski الذي طورها في عام 1918.
تقنية النمو البلوري
المتضادات:
في المجمل، تعتبر "تقنية تشوشالسكي" جزءاً أساسياً من كيفية إنتاج المواد المتقدمة وتلعب دوراً محورياً في العديد من التطبيقات العلمية والصناعية.