Geben Sie ein Wort oder eine Phrase in einer beliebigen Sprache ein 👆
Sprache:
Übersetzung und Analyse von Wörtern durch künstliche Intelligenz ChatGPT
Auf dieser Seite erhalten Sie eine detaillierte Analyse eines Wortes oder einer Phrase mithilfe der besten heute verfügbaren Technologie der künstlichen Intelligenz:
- wie das Wort verwendet wird
- Häufigkeit der Nutzung
- es wird häufiger in mündlicher oder schriftlicher Rede verwendet
- Wortübersetzungsoptionen
- Anwendungsbeispiele (mehrere Phrasen mit Übersetzung)
- Etymologie
Was (wer) ist термомагнитный - definition
Термомагнитный эффект; Термогальваномагнитные явления
ТЕРМОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ
то же, что Риги-Ледюка эффект.
Термогальваномагнитные эффекты
Термогальваномагнитные эффекты — совокупность эффектов, связанных с воздействием магнитного поля на электро- и теплопроводность твердотельных проводников.
ТЕРМОГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
связаны с влиянием магнитного поля на электрические и тепловые свойства проводников. К ним относятся: Нернста-Эттингсхаузена эффект и др.
Wikipedia
Термогальваномагнитные эффекты
Термогальваномагнитные эффекты — совокупность эффектов, связанных с воздействием магнитного поля на электро- и теплопроводность твердотельных проводников.
К термогальваномагнитным эффектам относятся:
- Эффект Эттингсгаузена
- Эффект Нернста — Эттингсгаузена
- Эффект Риги — Ледюка
- Фототермомагнитный эффект - эффект возникновения в однородном полупроводнике, помещенном в магнитное поле, при облучении его электромагнитным излучением в перпендикулярном направлении, эдс в третьем перпендикулярном направлении и градиента температуры. Эффект возникает за счет неравномерного поглощения электромагнитного излучения носителями тока, возникновения противоположно направленных потоков более горячих и более холодных носителей, отклоняемых перпендикулярным к этим потокам магнитным полем. Фототермомагнитный эффект, в отличие от Нернста – Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, возникает независимо от наличия исходного градиента температуры и градиента концентрации носителей в полупроводнике. Эффект наиболее сильно выражен в полупроводниках с малой эффективной массой носителей тока (например, в InSb при низких температурах). Эффект используется для создания высокочувствительных малоинерционных приёмников СВЧ и инфракрасного излучения.
