Substantiv (Nomen)
/ˌzoʊkrælski tɛkˈniːk/
Die Czochralski-Technik ist ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch das Ziehen eines Kristalls aus einer Schmelze. Sie wird häufig in der Halbleiterindustrie verwendet, um Siliziumkristalle zu züchten, die für die Herstellung von Mikroelektronik und Solarzellen benötigt werden. Das Verfahren ist in der wissenschaftlichen und technischen Literatur sehr verbreitet und wird hauptsächlich in schriftlichen Kontexten verwendet, vor allem in Fachartikeln und Berichten der Materialwissenschaften.
The Czochralski technique is essential for producing high-quality silicon crystals used in electronics.
Die Czochralski-Technik ist entscheidend für die Herstellung von hochwertigen Siliziumkristallen, die in der Elektronik verwendet werden.
Researchers improved the Czochralski technique to increase the efficiency of crystal growth.
Forscher verbesserten die Czochralski-Technik, um die Effizienz des Kristallwachstums zu erhöhen.
With the Czochralski technique, we can achieve pure single crystals necessary for advancements in technology.
Mit der Czochralski-Technik können wir reine Einkristalle erreichen, die für Fortschritte in der Technologie notwendig sind.
Die Czochralski-Technik wird in der Regel nicht in idiomatischen Ausdrücken verwendet, da es sich um einen spezifischen technischen Begriff handelt. Es sind keine geläufigen idiomatischen Ausdrücke bekannt, die dieses Wort beinhalten.
Der Name „Czochralski“ stammt von dem polnischen Physiker Jan Czochralski, der diese Methode in den 1910er Jahren entwickelte. Die Technik wurde zuerst zur Herstellung von Zinnkristallen beschrieben, fand aber im 20. Jahrhundert breite Anwendung in der Halbleiterindustrie.
Kristallwachstumsverfahren
Antonyme:
Diese Informationen sollten einen umfassenden Überblick über die Czochralski-Technik geben.