VR diode - translation to ρωσικά
Diclib.com
Λεξικό ChatGPT
Εισάγετε μια λέξη ή φράση σε οποιαδήποτε γλώσσα 👆
Γλώσσα:

Μετάφραση και ανάλυση λέξεων από την τεχνητή νοημοσύνη ChatGPT

Σε αυτήν τη σελίδα μπορείτε να λάβετε μια λεπτομερή ανάλυση μιας λέξης ή μιας φράσης, η οποία δημιουργήθηκε χρησιμοποιώντας το ChatGPT, την καλύτερη τεχνολογία τεχνητής νοημοσύνης μέχρι σήμερα:

  • πώς χρησιμοποιείται η λέξη
  • συχνότητα χρήσης
  • χρησιμοποιείται πιο συχνά στον προφορικό ή γραπτό λόγο
  • επιλογές μετάφρασης λέξεων
  • παραδείγματα χρήσης (πολλές φράσεις με μετάφραση)
  • ετυμολογία

VR diode - translation to ρωσικά

SEMICONDUCTOR DIODE
Impatt diode; IMPATT; TRAPATT diode

VR diode      

общая лексика

опорный стабилитрон

Schottky barrier diode         
  • 1N5819]])<ref name=SS14/>
  • 1N5822 Schottky diode with cut-open packaging. The semiconductor in the center makes a [[Schottky barrier]] against one metal electrode (providing rectifying action) and an [[ohmic contact]] with the other electrode.
  • 110px
DIODE WITH A LOW FORWARD VOLTAGE DROP, FORMED BY A SEMICONDUCTOR–METAL JUNCTION
Schottky barrier diode; Schottky Barrier Diode; Silicon carbide diode; Schotky doide; Shottky diode

общая лексика

диод с барьером Шоттки

tunnel diode         
  • 8–12&nbsp;GHz tunnel diode amplifier, circa 1970
  • V}} curve of 10&nbsp;mA germanium tunnel diode, taken on a Tektronix model&nbsp;571 [[curve tracer]].
  • 100px
  • 10&nbsp;mA germanium tunnel diode mounted in test fixture of Tektronix&nbsp;571 [[curve tracer]]
  • V}}<sub>2</sub>.
TYPE OF SEMICONDUCTOR DIODE
Esaki diode; Tunneling diode

[tʌnl'daiəud]

общая лексика

тоннельный диод

электроника

туннельный диод

Ορισμός

Светоизлучающий диод

светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо контактом металл - полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока - электроны и дырки; их Рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, - с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа AIII BV и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs, Ga1-xlnxP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP-Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs-Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.

Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 103 кд/м2, у лучших образцов С. д. - до 105 кд/м2. Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01\% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40\%.

Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы - светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны - применяют в различных системах отображения информации (см. Отображения информации устройство), в электронных часах (См. Электронные часы) и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах оптической локации (См. Оптическая локация), оптической связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д. - в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором - инжекционным лазером (см. Полупроводниковый лазер), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.

Лит.: Берг А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., "Тр. института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике", 1972, т. 60, № 2.

П. Г. Елисеев.

Βικιπαίδεια

IMPATT diode

An IMPATT diode (impact ionization avalanche transit-time diode) is a form of high-power semiconductor diode used in high-frequency microwave electronics devices. They have negative resistance and are used as oscillators and amplifiers at microwave frequencies. They operate at frequencies of about 3 and 100 GHz, or higher. The main advantage is their high-power capability; single IMPATT diodes can produce continuous microwave outputs of up to 3 kilowatts, and pulsed outputs of much higher power. These diodes are used in a variety of applications from low-power radar systems to proximity alarms. A major drawback of IMPATT diodes is the high level of phase noise they generate. This results from the statistical nature of the avalanche process.

Μετάφραση του &#39VR diode&#39 σε Ρωσικά