Термоэлектронная эмиссия - ορισμός. Τι είναι το Термоэлектронная эмиссия
Display virtual keyboard interface

Τι (ποιος) είναι Термоэлектронная эмиссия - ορισμός

ВЫЛЕТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ИЗ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ
Эффект Ричардсона; Формула Ричардсона — Дешмана; Ток насыщения
  • электровакуумном диоде]]. При подаче положительного напряжения на [[анод]] через вакуум между [[катод]]ом и анодом протекает [[электрический ток]], при обратной полярности напряжения тока нет. Стрелками показано направление движения [[электрон]]ов, направление тока обратно направлению движения электронов.

ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ         
испускание электронов нагретыми твердыми телами или жидкостями (эмиттерами). Термоэлектронную эмиссию можно рассматривать как испарение электронов из эмиттера. В большинстве случаев термоэлектронная эмиссия наблюдается при температурах значительно выше комнатной. Используется в электровакуумных приборах (катоды) и термоэлектронных генераторах.
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ         
испускание электронов нагретой поверхностью. Еще до 1750 было известно, что вблизи нагретых твердых тел воздух теряет свое обычное свойство плохого проводника электричества. Однако причина этого явления оставалась неясной до 1880-х годов. В ряде опытов, проведенных в период 1882-1889, Ю.Эльстер и Г.Гейтель установили, что при пониженном давлении окружающего воздуха раскаленная добела металлическая поверхность приобретает положительный заряд. Об аналогичных наблюдениях упоминалось в патентной заявке Т.Эдисоном (1883); он ввел электрод в одну из своих первых ламп накаливания и обнаружил, что между ее нитью и электродом происходит перенос электрического заряда. Этот "эффект Эдисона", как его иногда называют, лег в основу британского патента (1905) Дж.Флеминга на "прибор для преобразования переменного тока в постоянный" - первую электронную лампу, открывшую век электроники. То, что данное явление связано с испусканием электронов (отрицательно заряженных частиц), продемонстрировал в 1890 Дж.Томсон.
Теорию термоэлектронной эмиссии разработал в 1902 О.Ричардсон; в более позднем ее варианте ток с единицы поверхности нагретого металла, находящейся при однородной абсолютной температуре Т, определяется формулой
где А - постоянный множитель, k - постоянная Больцмана, а W - работа выхода, характерная для данного металла, но зависящая от состояния его поверхности; она равна минимальной энергии, необходимой для удаления электрона с поверхности металла. В 1927 С.Дэшман вывел формулу Ричардсона на основе квантовой механики и установил, что множитель A имеет вид
где m и e - масса и заряд электрона, а h - постоянная Планка. На практике величина А может заметно отличаться от даваемой этой формулой, если не обеспечено строгое выполнение условий, при которых выведена последняя. Так, если испускающая электроны поверхность не идеально однородна, на ней будут "пятна" с температурой, превышающей среднюю. Эмиссия электронов из этих "пятен" более интенсивна, и полный ток может оказаться гораздо больше теоретического для идеального случая.
Эмиссия электронов остается незначительной, пока Т не достигнет значения W/k. Поэтому в целях снижения потерь тепла и расхода энергии большие усилия были направлены на создание поверхностей с возможно более низкой работой выхода. В современных электронных лампах почти всегда применяются оксидные катоды, в которых достигается оптимальный компромисс между низкой работой выхода, стоимостью, долговечностью и механической прочностью. См. также ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ И ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ПРИБОРЫ
.
Термоэлектронная эмиссия         

Ричардсона эффект, испускание электронов нагретыми телами (твёрдыми, реже - жидкостями) в вакуум или в различные среды. Впервые исследована О. У. Ричардсоном в 1900- 1901. Т. э. можно рассматривать как процесс испарения электронов в результате их теплового возбуждения. Для выхода за пределы тела (эмиттера) электронам нужно преодолеть Потенциальный барьер у границы тела; при низких температурах тела количество электронов, обладающих достаточной для этого энергией, мало; с увеличением температуры их число растет и Т. э. возрастает (см. Твёрдое тело).

Главной характеристикой тел по отношению к Т. э. является величина плотности термоэлектронного тока насыщения jo (рис. 1) при заданной температуре. При Т. э. в вакуум однородных (по отношению к работе выхода (См. Работа выхода)) эмиттеров в отсутствии внешних электрических полей величина j0 определяется формулой Ричардсона - Дэшмана:

. (1)

Здесь А - постоянная эмиттера (для металлов в модели свободных электронов Зоммерфельда: А = А0 = 4πek2m/h3 = 120,4 а2см2, где е - заряд электрона, m - его масса, k - Больцмана постоянная, h - Планка постоянная), Т - температура эмиттера в К, - средний для термоэлектронов разных энергий коэффициент отражения от потенциального барьера на границе эмиттера; eφ - работа выхода. Испускаемые электроны имеют Максвелла распределение начальных скоростей, соответствующее температуре эмиттера.

При Т. э. в вакуум электроны образуют у поверхности эмиттера объёмный заряд, электрическое поле которого задерживает электроны с малыми начальными скоростями. Поэтому для получения тока насыщения между эмиттером (катодом) и коллектором электронов (анодом) создают электрическое поле, компенсирующее поле объёмного заряда. На рис. 1 показан вид вольтамперной характеристики вакуумного диода с термоэлектронным катодом. Плотность тока насыщения j0 достигается при разности потенциалов V0, величина которой определяется Ленгмюра формулой (См. Ленгмюра формула). При V < V0 ток ограничен полем объёмного заряда у поверхности эмиттера. Слабое увеличение j при V > V0 связано с Шотки эффектом. Рис. 1 показывает, что термоэлектронный ток может протекать и в отсутствии внешних эдс. Это указывает на возможность создания вакуумных термоэлектронных преобразователей тепловой энергии в электрическую. Во внешних электрических полях с напряжённостью Е ≥ 106- 107 в/см к Т. э. добавляется Туннельная эмиссия и Т. э. переходит в термоавтоэлектронную эмиссию.

Величину φ для металлов (См. Металлы) и собственных полупроводников (См. Полупроводники) можно считать линейно зависящей от Т в узких интервалах температур ΔT вблизи выбранного T0: φ(T) = φ(T0) + α(T- T0), где α - температурный коэффициент φ в рассматриваемом интервале температур ΔT. В этом случае формула (1) может быть написана в виде:

j0 = ApT2 ехр (- еφр/кТ), (2)

где Ap= А (1-) ехр (-eα/k) называется ричардсоновской постоянной эмиттера (однородного по отношению к работе выхода); еφр = φ(Т0) - αT0; еφ0 называется ричардсоновской работой выхода. Так как в интервале температур от Т = 0 до Т = Т0 α не сохраняет постоянной величины, то ричардсоновская работа выхода отличается от истинной работы выхода электронов при температуре Т = 0 К. Величины Ap и еφр находят по прямолинейным графикам зависимости: In (j0/T2) = f (1/T) (графикам Ричардсона). У примесных полупроводников зависимость φ(T) более сложная, и формула для j0 отличается от (2).

Чтобы исключить входящие в формулу (1) неизвестные для большинства эмиттеров величины А и r̅, зависящие не только от материала эмиттера, но и от состояния его поверхности (определяются экспериментально), формулу приводят к виду:

j = A0T2exp [-eφпт (Т)/кТ]. (3)

Работа выхода еφпт (Т) мало отличается по величине от истинной работы выхода эмиттера eφ(T), но легко определяется по измеренным величинам j0 и Т; её называют работой выхода по полному току эмиссии. Величина еφпт (Т) является единственной характеристикой термоэмиссионных свойств эмиттера, и её знания достаточно для нахождения j0(T) (рис. 2).

Однородными по φ эмиттерами являются грани идеальных монокристаллов как чистые, так и покрытые однородными плёнками др. вещества. Большинство употребляемых в практике эмиттеров не однородны, а состоят из "пятен" с различными φ (эмиттеры поликристаллического строения; со структурными дефектами; двухфазные плёночные и др.). Контактные разности потенциалов (См. Контактная разность потенциалов) между пятнами приводят к появлению над эмиттирующей поверхностью контактных полей пятен. Эти поля создают дополнительные барьеры для эмиссии электронов с пятен, где работа выхода меньше, чем средняя по поверхности, и вызывают аномальный эффект Шотки. Для описания Т. э. неоднородных эмиттеров в формулу (1) вводят усреднённые эмиссионные характеристики.

Для получения токов больших плотностей, постоянных во времени, требуются эмиттеры с малыми φ и с большими теплотами испарения (См. Теплота испарения) материала; в ряде случаев к термоэлектронным эмиттерам предъявляются специальные требования (химическая пассивность, коррозионная стойкость и др.). Высокой термоэмиссионной способностью обладают так называемые эффективные катоды (оксиднобариевые, оксидноториевые, гексабориды щелочноземельных и редкоземельных металлов и др.) и некоторые металлоплёночные катоды (например, тугоплавкие металлы с плёнкой щелочных, щёлочноземельных и редкоземельных металлов).

Т. э. лежит в основе действия многих электровакуумных и газоразрядных приборов и устройств.

Лит.: Рейман А. Л., Термоионная эмиссия, пер. с англ., М.- Л., 1940; Гапонов В. И., Электроника, т. 1, М., 1960; Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Кноль М., Эйхмейер И., Техническая электроника, пер. с нем., т. 1, М., 1971; Херинг К., Николье М., Термоэлектронная эмиссия, пер. с англ., М., 1950; 3андберг Э. Я., Ионов Н. И., Поверхностная ионизация, М., 1969; Фоменко В. С., Эмиссионные свойства материалов, К., 1970.

Э. Я. Зандберг.

Рис. 1. Зависимость плотности тока j термоэлектронного тока от разности потенциалов V, приложенной между эмиттером и коллектором электронов (вольтамперная характеристика).

Рис. 2. Плотность термоэлектронного тока насыщения при различных температурах и работах выхода eφ, определяемых по полному току термоэлектронной эмиссии.

Βικιπαίδεια

Термоэлектронная эмиссия

Термоэлектро́нная эми́ссия (эффе́кт Ричардсо́на, эффект Эдисо́на) — излучение электронов из твёрдого тела, металла и полупроводников в свободное пространство (обычно в вакуум или разрежённый газ) при нагреве его до высокой температуры. Эмиссия наблюдается начиная с 900 К.

Τι είναι ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ - ορισμός