P N - ορισμός. Τι είναι το P N
Diclib.com
Λεξικό ChatGPT
Εισάγετε μια λέξη ή φράση σε οποιαδήποτε γλώσσα 👆
Γλώσσα:

Μετάφραση και ανάλυση λέξεων από την τεχνητή νοημοσύνη ChatGPT

Σε αυτήν τη σελίδα μπορείτε να λάβετε μια λεπτομερή ανάλυση μιας λέξης ή μιας φράσης, η οποία δημιουργήθηκε χρησιμοποιώντας το ChatGPT, την καλύτερη τεχνολογία τεχνητής νοημοσύνης μέχρι σήμερα:

  • πώς χρησιμοποιείται η λέξη
  • συχνότητα χρήσης
  • χρησιμοποιείται πιο συχνά στον προφορικό ή γραπτό λόγο
  • επιλογές μετάφρασης λέξεων
  • παραδείγματα χρήσης (πολλές φράσεις με μετάφραση)
  • ετυμολογία

Τι (ποιος) είναι P N - ορισμός

Биполярные транзисторы; BJT; Транзистор, биполярный; СВЧ-транзистор; N-p-n; P-n-p
  • Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием ''h''-параметров.
  • Упрощённая схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.
  • Простейшая наглядная схема устройства транзистора
  • Схема включения с общей базой.
  • Схема включения с общим коллектором.<br>''I''<sub>вых</sub> = ''I''<sub>э</sub><br>''I''<sub>вх</sub> = ''I''<sub>б</sub><br>''U''<sub>вх</sub> = ''U''<sub>бк</sub><br>''U''<sub>вых</sub> = ''U''<sub>кэ</sub>.
  • Схема включения с общим эмиттером.<br>''I''<sub>вых</sub> = ''I''<sub>к</sub><br>''I''<sub>вх</sub> = ''I''<sub>б</sub><br>''U''<sub>вх</sub> = ''U''<sub>бэ</sub><br>''U''<sub>вых</sub> = ''U''<sub>кэ</sub>.
  • Токи в биполярном транзисторе
  • deadlink=no }}</ref>. Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход в активном режиме и служит для указания ''n-p-n'' и ''p-n-p'' транзисторов. Окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы.

P Sharp         
P# — компилятор, обеспечивающий взаимодействие между надмножеством языка программирования Пролог для параллельных вычислений и языком программировния C#. P# компилирует расширение Пролога для работы с линейной логикой в исходный текст программы на C#.
P-n-переход         
  • Устройство простейшего прибора, основанного на ''p-n''-переходе — полупроводникового диода — и его символическое изображение на принципиальных схемах (треугольник обозначает ''p''-область и указывает направление тока).
  • Энергетическая диаграмма]] ''p-n''-перехода. a) Состояние равновесия; b) При приложенном прямом напряжении; c) При приложенном обратном напряжении.
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от  — положительная) и электронной (n, от  — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других).
p-n-переход         
  • Устройство простейшего прибора, основанного на ''p-n''-переходе — полупроводникового диода — и его символическое изображение на принципиальных схемах (треугольник обозначает ''p''-область и указывает направление тока).
  • Энергетическая диаграмма]] ''p-n''-перехода. a) Состояние равновесия; b) При приложенном прямом напряжении; c) При приложенном обратном напряжении.
<p style="margin-left:10px">p>

Βικιπαίδεια

Биполярный транзистор

Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ).

Παραδείγματα από το σώμα κειμένου για P N
1. Для этого осенью этого года предприятие планирует запустить новое производство - линию по сборке панелей солнечных батарей из фотоэлектрических преобразователей (ФЭП - пластина кремния, на поверхности которой сформирован p-n-переход). То есть встроиться в технологическую цепочку производства солнечных электростанций.
2. Упущенный приоритет В начале 60-х годов заместитель Дмитрия Наследова Александр Рогачев с коллегами изучали электролюминесценцию (свечение) p-n-переходов в арсениде галлия и были озадачены не находившим объяснения сужением спектра излучения при больших токах.
3. Y=Zx((X-1)/P)n В формуле обозначено: Z - ежемесячное денежное вознаграждение, получаемое гражданином во время нахождения на посту президента РФ; X - среднеарифметическая оценка, полученная на итоговом референдуме; n - показатель степени, может быть подобран эмпирическим путем; P- порог, выбираемый в интервале от 2 до 3.
4. Взрыв информационных технологий и то, что называется информационной революцией, стало возможным благодаря прежде всего транзистору, который был открыт в 1'47 году в Bell Laboratory Джоном Бардиным и Уолтером Браттейном, а в 1'4' году Вильям Шокли создал транзистор на p-n-переходах.
Τι είναι P Sharp - ορισμός