Каналирование заряженных частиц - meaning and definition. What is Каналирование заряженных частиц
Diclib.com
ChatGPT AI Dictionary
Enter a word or phrase in any language 👆
Language:

Translation and analysis of words by ChatGPT artificial intelligence

On this page you can get a detailed analysis of a word or phrase, produced by the best artificial intelligence technology to date:

  • how the word is used
  • frequency of use
  • it is used more often in oral or written speech
  • word translation options
  • usage examples (several phrases with translation)
  • etymology

What (who) is Каналирование заряженных частиц - definition

Каналирование заряженных частиц

Каналирование заряженных частиц         

в кристаллах, движение частиц вдоль "каналов", образованных параллельными друг другу рядами атомов. При этом частицы испытывают скользящие столкновения (импульс почти не меняется) с рядами атомов, удерживающих их в этих "каналах" (рис.).

Если траектория частицы заключена между двумя атомными плоскостями, то говорят о плоскостном каналировании, в отличие от аксиального каналирования, при котором частица движется между соседними рядами атомов.

К. з. ч. было предсказано американскими физиками М. Т. Робинсоном и О. С. Оуэном в 1961 и обнаружено в 1963-65 несколькими группами экспериментаторов. Каналирование тяжёлых частиц (протонов и ионов) наблюдается при энергиях больше нескольких кэв, что соответствует длине Волны де Бройля, малой по сравнению с постоянной кристаллической решётки. К. з. ч. в этом случае может быть описано законами классической механики. Для К. з. ч. необходимо, чтобы угол, образуемый скоростью частицы и осью атомного ряда (или плоскостью для плоскостного каналирования), не превышал некоторого критического значения Ψкр. Угол Ψкр тем больше, чем больше атомные номера частицы и атома кристалла, чем меньше энергия частицы и чем меньше расстояние между атомами в ряду атомов, вдоль которого происходит К. з. ч. Для аксиального каналирования в некоторых направлениях Ψкр = 0,1-5° (для плоскостного каналирования в несколько раз меньше).

Траектория каналированных частиц проходит дальше от ядер атомов кристаллической решётки, чем траектория неканалированных частиц. Это приводит к важным следствиям: 1) длина пробега частиц в канале значительно больше, чем длина пробега неканалированных частиц, т.к. электронная плотность в каналах меньше, чем в среднем в кристалле. Увеличение длины пробега ионов при К. з. ч. используется при ионном легировании полупроводников (см. Ионное внедрение). 2) Поскольку каналированные частицы движутся сравнительно далеко от ядер и близких к нему электронных оболочек (К и L оболочек), то вероятность ядерных реакций и возбуждения рентгеновского излучения под действием каналированных частиц намного меньше.

Частицы, движущиеся в каналах, могут выходить из канала в результате рассеяния на дефектах в кристалле (См. Дефекты в кристаллах), что используется для изучения дефектов. С эффектом К. з. ч. тесно связан эффект теней (см. Теней эффект).

Каналирование электронов отличается от каналирования тяжёлых частиц. Особенности каналирования электронов обусловлены влиянием их волновых свойств и отрицательным зарядом.

Лит.: Туликов А. Ф., Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы. "Успехи физических наук", 1965, т. 87, в. 4, с. 585; Линдхард И., Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц, там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 249; Томпсон М., Каналирование частиц в кристаллах, там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 297; Каган Ю. М., Кононец Ю. В., Теория эффекта каналирования, "Журнал экспериментальной и теоретической физики", 1970, т. 58, в. 1, с. 226.

Ю. В. Мартыненко.

Рис. к ст. Каналирование заряженных частиц.

Каналирование         
Канали́рование — явление прохождения заряженными частицами аномально большого расстояния в кристаллической среде при их движении вдоль выделенных направлений, так называемых открытых каналов.
Ускоритель заряженных частиц         
  • Австралийского синхротрона]]
  • Венгрии]] линейного ускорителя. На нём было получено напряжение 1 МВ в 1952 году
  • ИЯФ СО РАН]], [[Новосибирск]]
  • Схема устройства линейного ускорителя частиц
  • Устройство циклотрона. 1 — место поступления частиц, 2 — траектория их движения, 3 — электроды, 4 — источник переменного напряжения. Магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости рисунка
Ускори́тель заря́женных части́ц — класс устройств для получения заряженных частиц (элементарных частиц, ионов) высоких энергий. Самые крупные ускорители являются дорогостоящими комплексами, требующими международного сотрудничества.

Wikipedia

Каналирование

Канали́рование — явление прохождения заряженными частицами аномально большого расстояния в кристаллической среде при их движении вдоль выделенных направлений, так называемых открытых каналов.

Когда заряженная частица попадает под достаточно малым углом в пространство между атомными цепочками (аксиальное каналирование) или плоскостями (плоскостное каналирование), на неё начинает действовать периодическая сила, смещающая её в центр канала. Частица испытывает последовательные скользящие столкновения — акты рассеяния с большим значением прицельного параметра, как следствие, существенно увеличивается длина её пробега в кристалле.