Дисперсная структура - définition. Qu'est-ce que Дисперсная структура
Diclib.com
Dictionnaire ChatGPT
Entrez un mot ou une phrase dans n'importe quelle langue 👆
Langue:

Traduction et analyse de mots par intelligence artificielle ChatGPT

Sur cette page, vous pouvez obtenir une analyse détaillée d'un mot ou d'une phrase, réalisée à l'aide de la meilleure technologie d'intelligence artificielle à ce jour:

  • comment le mot est utilisé
  • fréquence d'utilisation
  • il est utilisé plus souvent dans le discours oral ou écrit
  • options de traduction de mots
  • exemples d'utilisation (plusieurs phrases avec traduction)
  • étymologie

Qu'est-ce (qui) est Дисперсная структура - définition

МОП Структура; МОП структура; М—Д—П-структура; МОП-структура

Дисперсная структура      

неупорядоченная пространственная сетка в дисперсной системе (каркас), образованная частицами дисперсной фазы, соединёнными молекулярными силами различной природы. Формирование Д. с. сопровождается загущением (возрастанием структурной вязкости) или отвердеванием первоначально жидкой системы. Структурная сетка может занимать при этом от нескольких сотых долей \% до нескольких десятков \% от объёма системы, а в некоторых случаях заполнять практически весь объём. По характеру связи между частицами различают коагуляционные и конденсационные Д. с. Коагуляционные Д. с. возникают в процессе коагуляции (См. Коагуляция) частиц дисперсной фазы или при увеличении степени объёмного заполнения ими дисперсной системы. В коагуляционных Д. с. соединение частиц осуществляется через тонкую прослойку жидкой дисперсионной среды вследствие действия слабых межмолекулярных (ван-дер-ваальсовых) сил притяжения. Такие Д. с. обладают малой прочностью, пластичностью, некоторой эластичностью и тиксотропией (См. Тиксотропия), т. е. способностью самопроизвольно и обратимо восстанавливаться после механического разрушения - в результате столкновения частиц в броуновском движении (См. Броуновское движение). Лиогели (см. Гели) и различного рода пасты имеют Д. с. типично коагуляционного типа.

Конденсационные Д. с. формируются в процессе выделения новой фазы из пересыщенных паров, расплавов и растворов. Мельчайшие частицы новой (дисперсной) фазы, возникнув в недрах гомогенной среды, увеличиваются в размерах, срастаются и образуют структурную сетку с прочными фазовыми, или когезионными (см. Когезия), контактами. Такая Д. с. может быть упруго-хрупкой или эластичной (в зависимости от механических свойств составляющей её фазы), но она лишена пластичности и тиксотропии, т. е. разрушается необратимо. Если новая фаза выделяется в виде кристаллов, которые в процессе роста срастаются или переплетаются, то образованная ими Д. с. называется кристаллизационной или конденсационно-кристаллизационной. Таковы, например, Д. с., возникающие при взаимодействии минеральных вяжущих веществ - цементов - с водой. Керамика и металлокерамика (керметы) также относятся к Д. с. конденсационно-кристаллизационного типа. К ним причисляют и предельно плотные Д. с. мелкозернистых твёрдых тел, закристаллизовавшихся из расплава, например Ситаллы - закристаллизованные стёкла. Возникновение конденсационных Д. с. из пересыщенных растворов полимеров может идти двумя путями: через промежуточную стадию образования коацерватных капель (см. Коацервация) с повышенным содержанием полимера и через образование в эластичном полимерном студне (См. Студни) капелек разбавленного раствора, подобных вакуолям. В 1-м случае обеднение растворителем и частичная коалесценция капель, перешедших в высокоэластическое состояние, приводят к возникновению сетчатой структуры срастания. Аналогичные структуры образуются из шаровидных полимерных частиц при желатинизации латекса (См. Латексы), например в производстве губчатых резин, или из частиц молочного жира при получении сливочного масла. Во 2-м случае разрастание и слияние друг с другом "вакуолей" создаёт систему связных каналов; одновременно в результате Синерезиса происходит обеднение растворителем фазы студня и возникает структурная сетка ячеистого типа. Удаление растворителя из полимерной Д. с. конденсационного типа (так называемого псевдогеля) даёт полимерные ксерогели, представляющие практический интерес в производстве тонкопористых материалов: мембранных фильтров, искусственной кожи, макропористых ионообменных смол (См. Ионообменные смолы) и т.д.

Природные и искусственные материалы, например некоторые горные породы, наполненные пластмассы и резины, могут иметь и сложную коагуляционно-конденсационную структуру. Исследование и направленный синтез Д. с. с заданными свойствами - предмет специальной отрасли науки - физико-химической механики (См. Физико-химическая механика).

Лит.: Ребиндер П. А., Влодавец И. Н., Физико-химическая механика пористых и волокнистых дисперсных структур, в кн.: Проблемы физико-химической механики волокнистых и пористых дисперсных структур и материалов, Рига, 1967, с. 5-40; Воюцкий С. С., Курс коллоидной химии, М., 1964, с. 334-40, 533-44.

Л. А. Шиц.

Математическая структура         
Математи́ческая структу́ра — название, объединяющее понятия, общей чертой которых является их применимость к множествам, природа которых не определена. Для определения самой структуры задают отношения, в которых находятся элементы этих множеств.
Структура (язык Си)         
ОПИСАНИЕ ТИПА ДАННЫХ В ЯЗЫКАХ ПРОГРАММИРОВАНИЯ C И C++
Структура (программирование); Struct
В языке Си, структура (struct) — композитный тип данных, инкапсулирующий без сокрытия набор значений различных типов. Порядок размещения значений в памяти задаётся при определении типа и сохраняется на протяжении времени жизни объектов, что даёт возможность косвенного доступа (например, через указатели).

Wikipédia

МДП-конденсатор

МДП-конденсатор (МДП-диод, [двухэлектродная] МДП-структура; англ. MIS capacitor) — структура «металл (М) - диэлектрик (Д) - полупроводник (П)», одна из важнейших в полупроводниковой электронике (является секцией полевого транзистора с изолированным затвором MISFET). В качестве полупроводника чаще всего используется кремний (Si), в роли диэлектрика выступает диоксид кремния (SiO2; в таком случае «МДП» заменяют на «МОП», О = оксид), а к популярным металлам относятся золото (Au) и алюминий (Al). Вместо металла нередко применяется сильно легированный поликристаллический кремний (poly-Si), при этом аббревиатура не меняется.

В зависимости от внешнего напряжения, приложенного между металлом и полупроводниковой подложкой, МДП-конденсатор за счёт эффекта поля находится в одном из трёх зарядовых состояний —

  • обогащения,
  • обеднения,
  • инверсии.

Для полевых транзисторов наиболее значим последний режим. Инверсный, обеднённый, обогащённый «слои» не являются встроенными (и существуют только пока держится соответствующее напряжение).

Зарядовое состояние диктуется сравнением типов проводимости в толще полупроводника и у границы с диэлектриком. Если к полупроводнику p-типа приложено большое положительное напряжение относительно металла, то у границы с окислом концентрация основных носителей (дырок) станет выше, чем в толще, — это обогащение (не показано на рис.). Если приложено небольшое отрицательное напряжение, то концентрация дырок у границы будет меньше, чем в толще, и они не смогут компенсировать отрицательный заряд ионов примеси — имеем обеднение (см. рис.). Наконец, когда на полупроводник подано большое отрицательное напряжение (или на металл большое положительное, см. рис.),наличествуют не только область заряженных ионов, но и слой заряда электронов, являющихся неосновными носителями, — это инверсия.

Обычно подразумевается, что МДП-конденсатор не проводит ток. Но в случае сверхтонкого диэлектрика перенос заряда возможен, причём не вследствие повреждения или паразитных утечек, а за счёт туннелирования.

Назначение МДП-конденсаторов:

  • непосредственное применение в микросхемах в функции ёмкости (максимальная ёмкость составляет примерно ε 0 ε A / d {\displaystyle \varepsilon _{0}\varepsilon A/d} , где ε 0 ε {\displaystyle \varepsilon _{0}\varepsilon } - абсолютная диэлектрическая проницаемость, A {\displaystyle A} - площадь, d {\displaystyle d} - толщина диэлектрика);
  • использование как тестовой системы (проще, чем MISFET) при работе с новыми материалами: оптимизации их технологии, испытаниях стойкости, измерении утечек, оценке поверхностной плотности дефектов и т.п.;
  • использование в учебных целях для представления зарядовых состояний (выше) и ряда квантовых эффектов (туннелирование, поверхностное квантование);
  • использование в качестве фотодетектора или солнечного элемента;
  • [при наличии переноса заряда через диэлектрик] задействование как высокочастотных МДП-диодов (точнее, туннельных МДП-диодов).

Чаще всего МДП-конденсаторы не изготавливаются как самостоятельные приборы, а появляются как составная часть MISFET'ов (их сечение затвор-подложка). А МДП-структуры с туннельным переносом заряда появляются как составная часть ряда твердотельных элементов памяти, таких как EEPROM.

С учётом потребности полупроводниковой промышленности,наибольший интерес сейчас представляет диапазон толщин диэлектрика d {\displaystyle d} от единиц до десятков нанометров. Постепенно SiO2 вытесняется так называемыми high-k-диэлектриками с большей, чем у SiO2, диэлектрической проницаемостью.

Qu'est-ce que Дисп<font color="red">е</font>рсная структ<font color="red">у</font>ра - définition