Entrez un mot ou une phrase dans n'importe quelle langue 👆
Langue:
Traduction et analyse de mots par intelligence artificielle ChatGPT
Sur cette page, vous pouvez obtenir une analyse détaillée d'un mot ou d'une phrase, réalisée à l'aide de la meilleure technologie d'intelligence artificielle à ce jour:
- comment le mot est utilisé
- fréquence d'utilisation
- il est utilisé plus souvent dans le discours oral ou écrit
- options de traduction de mots
- exemples d'utilisation (plusieurs phrases avec traduction)
- étymologie
Qu'est-ce (qui) est Дрейфовый транзистор - définition
Транзистор, одноэлектронный
Дрейфовый транзистор
транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда (см. Носители заряда в твёрдом теле) к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту. Метод диффузии имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы Д. т.: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, меза. Д. т. изготовляют главным образом на основе монокристаллов германия и кремния. Д. т. применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от сотен кгц до нескольких Ггц и коммутации сигналов в электронных устройствах. См. также Транзистор.
Биполярный транзистор
Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками.
Транзистор с высокой подвижностью электронов
.png?width=200 "Структура HEMT-транзистора в сечении")
Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов)Текст ПерсТ 6_8. В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от High Electron Mobility Transistor.
Wikipédia
Одноэлектронный транзистор
Одноэлектронный транзистор (англ. Single-electron transistor, SET) — концепция транзистора, использующего возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады.
