Шоттки
диод,
диод с барьером
Шотки,
Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл - полупроводник; назван в честь немецкого учёного В.
Шотки, создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления (См.
Катодное распыление) либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См.
Электронно-дырочный переход) (в области этого перехода), возникает
Потенциальный барьер (см. также
Шотки барьер),
изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см.
рис. 2). Ток через контакт металл - полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.
Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10
―11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами (См.
Интегральная схема); простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения (См.
Приёмники излучения),
детекторов ядерного излучения (См.
Детекторы ядерных излучений),
Тензодатчиков, модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока (См.
Выпрямитель тока) ВЧ, солнечных батареях (См.
Солнечная батарея) и т.д.
Ю. Р. Носов.
Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р - n-переходом: U - напряжение на диоде; I - ток через диод; U*oбр и I*oбр - максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт - напряжение стабилизации.
Структура детекторного Шотки диода: 1 - полупроводниковая подложка; 2 - эпитаксиальная плёнка; 3 - контакт металл - полупроводник; 4 - металлическая плёнка; 5 - внешний контакт.