Дрейфовый транзистор - definizione. Che cos'è Дрейфовый транзистор
Diclib.com
Dizionario ChatGPT
Inserisci una parola o una frase in qualsiasi lingua 👆
Lingua:

Traduzione e analisi delle parole tramite l'intelligenza artificiale ChatGPT

In questa pagina puoi ottenere un'analisi dettagliata di una parola o frase, prodotta utilizzando la migliore tecnologia di intelligenza artificiale fino ad oggi:

  • come viene usata la parola
  • frequenza di utilizzo
  • è usato più spesso nel discorso orale o scritto
  • opzioni di traduzione delle parole
  • esempi di utilizzo (varie frasi con traduzione)
  • etimologia

Cosa (chi) è Дрейфовый транзистор - definizione

Транзистор, одноэлектронный
  • Рис.{{nbsp}}2. Энергетические уровни истока, проводящего канала (острова) и стока (слева направо) в одноэлектронном транзисторе для закрытого (верхняя часть) и проводящего (нижняя часть) состояний.
  • Одноэлектронный транзистор с подводящими контактами из ниобия и алюминиевым островом.
  • Рис.{{nbsp}}1. Схема одноэлектронного транзистора.

Дрейфовый транзистор      

транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда (см. Носители заряда в твёрдом теле) к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту. Метод диффузии имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы Д. т.: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, меза. Д. т. изготовляют главным образом на основе монокристаллов германия и кремния. Д. т. применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от сотен кгц до нескольких Ггц и коммутации сигналов в электронных устройствах. См. также Транзистор.

Биполярный транзистор         
  • Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием ''h''-параметров.
  • Упрощённая схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.
  • Простейшая наглядная схема устройства транзистора
  • Схема включения с общей базой.
  • Схема включения с общим коллектором.<br>''I''<sub>вых</sub> = ''I''<sub>э</sub><br>''I''<sub>вх</sub> = ''I''<sub>б</sub><br>''U''<sub>вх</sub> = ''U''<sub>бк</sub><br>''U''<sub>вых</sub> = ''U''<sub>кэ</sub>.
  • Схема включения с общим эмиттером.<br>''I''<sub>вых</sub> = ''I''<sub>к</sub><br>''I''<sub>вх</sub> = ''I''<sub>б</sub><br>''U''<sub>вх</sub> = ''U''<sub>бэ</sub><br>''U''<sub>вых</sub> = ''U''<sub>кэ</sub>.
  • Токи в биполярном транзисторе
Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками.
Транзистор с высокой подвижностью электронов         
  • Структура HEMT-транзистора в сечении
  • Зонная диаграмма HEMT-транзистора
Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов)Текст ПерсТ 6_8. В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от High Electron Mobility Transistor.

Wikipedia

Одноэлектронный транзистор

Одноэлектронный транзистор (англ. Single-electron transistor, SET) — концепция транзистора, использующего возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады.

Che cos'è Др<font color="red">е</font>йфовый транз<font color="red">и</font>стор - definizione