Diclib.com
Dizionario ChatGPT

Ricerca nel dizionario Soluzioni personalizzate

Inserisci una parola o una frase in qualsiasi lingua 👆

Lingua:

Traduzione e analisi delle parole tramite l'intelligenza artificiale ChatGPT

In questa pagina puoi ottenere un'analisi dettagliata di una parola o frase, prodotta utilizzando la migliore tecnologia di intelligenza artificiale fino ad oggi:

come viene usata la parola
frequenza di utilizzo
è usato più spesso nel discorso orale o scritto
opzioni di traduzione delle parole
esempi di utilizzo (varie frasi con traduzione)
etimologia

Cosa (chi) è Ионное внедрение - definizione

Ионное легирование; Ионное внедрение

ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ

(ионная имплантация) , введение посторонних (примесных) атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его ионами; способ легирования полупроводников.

Ионное внедрение

ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10-100 кэв проникают на глубину 0,01-1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения частиц вдоль определённых кристаллографических направлений резко возрастает (см. Каналирование заряженных частиц).

При интенсивной бомбардировке на И. в. влияет Катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени.

И. в. наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника (См. Полупроводники). Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле (См. Дефекты в кристаллах), а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. И. в. позволяет вводить в разные Полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. И. в. позволяет создать в полупроводниковом кристалле Электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту Транзисторов.

Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Дж., Ионное легирование полупроводников (кремний, германий), пер. с англ., М., [в печати]; Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., М., 1971.

Ю. В. Мартыненко.

Ионная имплантация

Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей (имплантата) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника пластины или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией ().

https://ru.wikipedia.org/wiki/Ионная_имплантация

Wikipedia

Ионная имплантация

Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей (имплантата) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 кэВ).

Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов.

Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твёрдости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.).

Ионная имплантация в материалы высокотемпературных сверхпроводников семейства ${\ce {R_{x}Ba_{2}Cu_{3}O_{x}}}$ , ${\ce {R}}$ — редкоземельный металл, используется для создания центров пиннинга, повышающих плотность критического тока.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Ионная имплантация

Che cos'è ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ - definizione