Шотки диод - definizione. Che cos'è Шотки диод
Diclib.com
Dizionario ChatGPT
Inserisci una parola o una frase in qualsiasi lingua 👆
Lingua:

Traduzione e analisi delle parole tramite l'intelligenza artificiale ChatGPT

In questa pagina puoi ottenere un'analisi dettagliata di una parola o frase, prodotta utilizzando la migliore tecnologia di intelligenza artificiale fino ad oggi:

  • come viene usata la parola
  • frequenza di utilizzo
  • è usato più spesso nel discorso orale o scritto
  • opzioni di traduzione delle parole
  • esempi di utilizzo (varie frasi con traduzione)
  • etimologia

Cosa (chi) è Шотки диод - definizione

Шотки барьер; Барьер Шотки; Шоттки барьер

Шотки диод      

Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл - полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления (См. Катодное распыление) либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (в области этого перехода), возникает Потенциальный барьер (см. также Шотки барьер), изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2). Ток через контакт металл - полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.

Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10―11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами (См. Интегральная схема); простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения (См. Приёмники излучения), детекторов ядерного излучения (См. Детекторы ядерных излучений), Тензодатчиков, модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока (См. Выпрямитель тока) ВЧ, солнечных батареях (См. Солнечная батарея) и т.д.

Лит. см. при ст. Полупроводниковый диод.

Ю. Р. Носов.

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р - n-переходом: U - напряжение на диоде; I - ток через диод; U*oбр и I*oбр - максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U - напряжение стабилизации.

Структура детекторного Шотки диода: 1 - полупроводниковая подложка; 2 - эпитаксиальная плёнка; 3 - контакт металл - полупроводник; 4 - металлическая плёнка; 5 - внешний контакт.

ГАННА ДИОД         
  • Диод Ганна на [[C-диапазон]]. Видна заводская упаковка с антистатическими свинцовыми капсулами.
  • Вольт-амперная характеристика диода Ганна
  • Условное графическое обозначение в схемах.
  • Конструкция [[гетеродин]]а на диоде Ганна C-диапазона. Применён в МШУ «Обиход».
  • Генератор на диоде Ганна с волноводным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня, тонкая подстройка производится винтом.
  • Генератор на диоде Ганна с коаксиальным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня.
полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.
Диод Ганна         
  • Диод Ганна на [[C-диапазон]]. Видна заводская упаковка с антистатическими свинцовыми капсулами.
  • Вольт-амперная характеристика диода Ганна
  • Условное графическое обозначение в схемах.
  • Конструкция [[гетеродин]]а на диоде Ганна C-диапазона. Применён в МШУ «Обиход».
  • Генератор на диоде Ганна с волноводным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня, тонкая подстройка производится винтом.
  • Генератор на диоде Ганна с коаксиальным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня.
Дио́д Га́нна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых диодов, в полупроводниковой структуре не имеет p-n-переходов и используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от .

Wikipedia

Барьер Шоттки

Барье́р Шо́ттки или Шо́тки, (англ. Schottky barrier) — потенциальный барьер, появляющийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: ϕ O = ϕ M ϕ Π {\displaystyle \phi _{O}=\phi _{M}-\phi _{\Pi }} .