etching test - vertaling naar russisch
Diclib.com
Woordenboek ChatGPT
Voer een woord of zin in in een taal naar keuze 👆
Taal:

Vertaling en analyse van woorden door kunstmatige intelligentie ChatGPT

Op deze pagina kunt u een gedetailleerde analyse krijgen van een woord of zin, geproduceerd met behulp van de beste kunstmatige intelligentietechnologie tot nu toe:

  • hoe het woord wordt gebruikt
  • gebruiksfrequentie
  • het wordt vaker gebruikt in mondelinge of schriftelijke toespraken
  • opties voor woordvertaling
  • Gebruiksvoorbeelden (meerdere zinnen met vertaling)
  • etymologie

etching test - vertaling naar russisch

Etching (plasma); Etching (isotropic)

etching test      
испытание травлением
etching test      
испытание травлением
acid polishing         
  • An anisotropic wet etch on a silicon wafer creates a cavity with a trapezoidal cross-section.  The bottom of the cavity is a {100} plane (see [[Miller indices]]), and the sides are {111} planes.  The blue material is an etch mask, and the green material is silicon.
  • 140px
  • 140px
  • Etching, simplified animation of etchant action on a copper sheet with mask
  • Simplified illustration of dry etching using positive photoresist during a photolithography process in semiconductor microfabrication. Note: Not to scale.
TECHNIQUE IN MICROFABRICATION
Etching (microfab); Wafer etching; Chemical polishing; Acid polishing
полирование с использованием кислоты (для травления поверхности)

Definitie

ЭПАС
экспериментальный полет "Аполлона" и "Союза" (июль 1975). Советский экипаж - А. А. Леонов и В. Н. Кубасов. Американский экипаж - Т. Стаффорд, Д. Слейтон, В. Бранд. В полете дважды была осуществлена стыковка, проводились совместные научные исследования, технические эксперименты и взаимные переходы экипажей.

Wikipedia

Isotropic etching

Isotropic etching is a method commonly used in semiconductors to remove material from a substrate via a chemical process using an etchant substance. The etchant may be in liquid-, gas- or plasma-phase, although liquid etchants such as buffered hydrofluoric acid (BHF) for silicon dioxide etching are more often used. Unlike anisotropic etching, isotropic etching does not etch in a single direction, but rather etches in multiple directions within the substrate. Any horizontal component of the etch direction may therefore result in undercutting of patterned areas, and significant changes to device characteristics. Isotropic etching may occur unavoidably, or it may be desirable for process reasons.

Vertaling van &#39etching test&#39 naar Russisch