Diclib.com
Словарь ChatGPT

Поиск в словаре Индивидуальные решения

Введите слово или словосочетание на любом языке 👆

Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

как употребляется слово
частота употребления
используется оно чаще в устной или письменной речи
варианты перевода слова
примеры употребления (несколько фраз с переводом)
этимология

(ação) Preferencial Nominativa - PN - перевод на русский

Ação criminal; Ação Penal

(ação) Preferencial Nominativa - PN

(Браз.) преференциальная именная акция

ação entre amigos

FILME DE 1998 DIRIGIDO POR BETO BRANT

Ação entre amigos; Ação Entre Amigos

вещевая лотерея

ação entre amigos

FILME DE 1998 DIRIGIDO POR BETO BRANT

Ação entre amigos; Ação Entre Amigos

вещевая лотерея

Определение

Электронно-дырочный переход

(p - n-переход)

область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р-области Э.-д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из n -области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Однако после ухода дырок в n-области остаются отрицательно заряженные акцепторные атомы, а после ухода электронов в n-области - положительно заряженные донорные атомы. Т. к. акцепторные и донорные атомы неподвижны, то в области Э.-л. п. образуется двойной слой пространственного заряда - отрицательные заряды в р-области и положительные заряды в n -области (рис. 1). Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через Э.-д. п.; в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения полный ток через Э.-д. п. равен нулю. Т. о., в Э.-д. п. существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течёт к Э.-д. п. и проходит через него под действием контактного поля, а равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через Э.-д. п. в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (Потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (Контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.

Внешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Если положит. потенциал приложен к р-области, то внешнее поле направлено против контактного, т. е. потенциальный барьер понижается (прямое смещение). В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Концентрация неосновных носителей по обе стороны Э.-д. п. увеличивается (инжекция неосновных носителей), одновременно в р- и n-области через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих нейтрализацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через Э.-д. п. При повышении приложенного напряжения этот ток экспоненциально возрастает. Наоборот, приложение положит, потенциала к и-области (обратное смещение) приводит к повышению потенциального барьера. При этом диффузия основных носителей через Э.-д. п. становится пренебрежимо малой.

В то же время потоки неосновных носителей не изменяются, поскольку для них барьера не существует. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через Э.-д. п. течёт ток I_s (ток насыщения), который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения. Т. о., зависимость тока 1 через Э.-д. п. от приложенного напряжения U (вольтамперная характеристика) обладает резко выраженной нелинейностью (рис. 2). При изменении знака напряжения ток через Э.-д. п. может меняться в 10⁵-10⁶ раз. Благодаря этому Э.-д. п. является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов (см. Полупроводниковый диод). Зависимость сопротивления Э.-д. п. от U позволяет использовать Э.-д. п. в качестве регулируемого сопротивления (Варистора).

При подаче на Э.-д. п. достаточно высокого обратного смещения U = U_пр возникает электрический пробой, при котором протекает большой обратный ток (рис. 2). Различают лавинный пробой, когда на длине свободного пробега в области объёмного заряда носитель приобретает энергию, достаточную для ионизации кристаллической решётки, туннельный (зинеровский) пробой, возникающий при туннелировании носителей сквозь барьер (см. Туннельный эффект), и тепловой пробой, связанный с недостаточностью теплоотвода от Э.-д. п., работающего в режиме больших токов.

От приложенного напряжения зависит не только проводимость, но и ёмкость Э.-д. п. Действительно, повышение потенциального барьера при обратном смещении означает увеличение разности потенциалов между п- и р-областями полупроводника и, отсюда, увеличение их объёмных зарядов. Поскольку объёмные заряды являются неподвижными и связанными с кристаллической решёткой ионами доноров и акцепторов, увеличение объёмного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением ёмкости Э.-д. п. При прямом смещении к ёмкости слоя объёмного заряда (называется также зарядной ёмкостью) добавляется т. н. диффузионная ёмкость, обусловленная тем, что увеличение напряжения на Э.-д. п. приводит к увеличению концентрации неосновных носителей, т. е. к изменению заряда. Зависимость ёмкости от приложенного напряжения позволяет использовать Э.-д. п. в качестве варактора - прибора, ёмкостью которого можно управлять, меняя напряжение смещения (см. Параметрический полупроводниковый диод).

Помимо использования нелинейности вольтамперной характеристики и зависимости ёмкости от напряжения, Э.-д. п. находит многообразные применения, основанные на зависимости контактной разности потенциалов и тока насыщения от концентрации неосновных носителей. Их концентрация существенно изменяется при различных внешних воздействиях - тепловых, механических, оптических и др. На этом основаны различного рода датчики: температуры, давления, ионизирующих излучений и т. д. Э.-д. п. используется также для преобразования световой энергии в электрическую (см. Солнечная батарея).

Э.-д. п. являются основой разного рода полупроводниковых диодов, а также входят в качестве составных элементов в более сложные Полупроводниковые приборы - Транзисторы, Тиристоры и т. д. Инжекция и последующая рекомбинация неосновных носителей в Э.-д. п. используются в светоизлучающих диодах (См. Светоизлучающий диод) и инжекционных лазерах (См. Инжекционный лазер).

Э.-д. п. может быть создан различными путями: 1) в объёме одного и того же полупроводникового материала, легированного в одной части донорной примесью (р-область), а в другой - акцепторной (n-область); 2) на границе двух различных полупроводников с разными типами проводимости (см. Полупроводниковый гетеропереход); 3) вблизи контакта полупроводника с металлом (См. Металлы), если ширина запрещенной зоны полупроводника меньше разности работ выхода (См. Работа выхода) полупроводника и металла; 4) приложением к поверхности полупроводника с электронной (дырочной) проводимостью достаточно большого отрицательного (положительного) потенциала, под действием которого у поверхности образуется область с дырочной (электронной) проводимостью (инверсный слой).

Если Э.-д. п. получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник (например, акцепторной примеси в кристалл с проводимостью n-типа), то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий Э.-д. п.). Если используется диффузия примесей, то образуется плавный Э.-д. п. Плавные Э.-д. п. можно получать также выращиванием монокристалла из расплава, в котором постепенно изменяют содержание и характер примесей. Получил распространение метод ионного внедрения (См. Ионное внедрение) примесных атомов, позволяющий создавать Э.-д. п. заданного профиля.

Лит.: Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967; Пикус Г. Е., Основы теории полупроводниковых приборов, М., 1965; Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970; СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972; Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977.

Э. М. Эпштейн.

Рис. 1. Схема p-n-перехода: чёрные кружки - электроны; светлые кружки - дырки.

Рис. 2. Вольтамперная характеристика р - n-перехода: U - приложенное напряжение; I - ток через переход; Is - ток насыщения; Unp - напряжение пробоя.

Показать больше определений

Википедия

Ação penal

Ação penal é a atividade que impulsiona a jurisdição penal, sendo ela pública. A jurisdição em atividade também é ação, ação judiciária. A ação penal se materializa no processo penal.

Está escrito no artigo 5º, XXXV, da Constituição da República Federativa do Brasil: "A lei não excluirá da apreciação do Poder Judiciário lesão ou ameaça a direito". Por este dispositivo, que consagra o princípio da inafastabilidade de jurisdição, a Constituição garante o acesso à Justiça de todos aqueles que se sentirem lesados, ou prejudicados, por condutas praticadas por outros ou pelo próprio Estado. Também se incluem, aqui, os acusados de crime, pois têm o direito de se defender. O acesso à justiça é garantido a todos, portanto.

Quando um juiz decide, exerce poder em atividade denominada jurisdição. Exercendo a jurisdição, o juiz declara direito, satisfaz direito declarado ou assegura o direito. O juiz decide um conflito que pode ser penal ou não. O conflito não penal que chega ao Poder Judiciário é aquele que foi resolvido amigavelmente. O conflito penal não pode ser resolvido amigavelmente. O processo é sempre necessário. O conflito penal surge quando praticada conduta humana que a lei define como crime e para a qual prevê uma pena: é conflito entre o dever de punir e o interesse de liberdade do autor da conduta.

A pena não pode ser aplicada espontaneamente. O Estado precisa submeter o conflito penal ao Poder Judiciário para que, por meio do processo, em que serão apurados os fatos considerados criminosos, o juiz decida se houve crime e se a pessoa acusada deve ser punida. O processo só nasce por meio da ação, que o impulsiona, que lhe dá vida.

A ação penal, assim, é o direito ou o poder-dever de provocar o Poder Judiciário para que decida o conflito nascido com a prática de conduta definida em lei como crime. Fala-se em direito e em poder-dever porque a ação pode ser promovida pelo ofendido, pessoa física ou jurídica atingida pelo crime ou pelo Ministério Público, na maioria das vezes. Quando a ação penal é promovida pelo Ministério Público, não o é no exercício de um direito, mas no exercício de atividade obrigatória: o Ministério Público não tem vontade e não pode escolher entre promover a ação ou não. Praticado crime, o membro do Ministério Público deve fazer tudo para que seu autor seja julgado, ou seja, prevalece o princípio da obrigatoriedade.

https://pt.wikipedia.org/wiki/Ação penal