ИТАЛИЯ: НАСЕЛЕНИЕ - Д ПОЛОВОЗРАСТНАЯ СТРУКТУРА - определение. Что такое ИТАЛИЯ: НАСЕЛЕНИЕ - Д ПОЛОВОЗРАСТНАЯ СТРУКТУРА
Diclib.com
Словарь ChatGPT
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология

Что (кто) такое ИТАЛИЯ: НАСЕЛЕНИЕ - Д ПОЛОВОЗРАСТНАЯ СТРУКТУРА - определение

МОП Структура; МОП структура; М—Д—П-структура; МОП-структура

Il Popolo d’Italia         
Il Popolo d’Italia или Народ Италии (1914—1943) — итальянская газета, основанная Бенито Муссолини 15 ноября 1914 года, в результате его раскола с Итальянской социалистической партией.
Математическая структура         
Математи́ческая структу́ра — название, объединяющее понятия, общей чертой которых является их применимость к множествам, природа которых не определена. Для определения самой структуры задают отношения, в которых находятся элементы этих множеств.
Доисторическая Италия         
  • скандинавская бронзовая культура}}
  • Могила культуры Вилланова. Характерная двуконическая урна. Музей Гуарначчи, Вольтерра.
  • Наскальные рисунки Валле Камоника, «камунская роза».
  • Внутри комплекса Су Нуракси
ПЕРИОД В ИСТОРИИ ИТАЛИИ
Доримская Италия
Доисторический период в истории Италии охватывает период со времени появления первых людей на территории Италии и до появления первых письменных культур — этрусков, греческих колоний и Древнего Рима.

Википедия

МДП-конденсатор

МДП-конденсатор (МДП-диод, [двухэлектродная] МДП-структура; англ. MIS capacitor) — структура «металл (М) - диэлектрик (Д) - полупроводник (П)», одна из важнейших в полупроводниковой электронике (является секцией полевого транзистора с изолированным затвором MISFET). В качестве полупроводника чаще всего используется кремний (Si), в роли диэлектрика выступает диоксид кремния (SiO2; в таком случае «МДП» заменяют на «МОП», О = оксид), а к популярным металлам относятся золото (Au) и алюминий (Al). Вместо металла нередко применяется сильно легированный поликристаллический кремний (poly-Si), при этом аббревиатура не меняется.

В зависимости от внешнего напряжения, приложенного между металлом и полупроводниковой подложкой, МДП-конденсатор за счёт эффекта поля находится в одном из трёх зарядовых состояний —

  • обогащения,
  • обеднения,
  • инверсии.

Для полевых транзисторов наиболее значим последний режим. Инверсный, обеднённый, обогащённый «слои» не являются встроенными (и существуют только пока держится соответствующее напряжение).

Зарядовое состояние диктуется сравнением типов проводимости в толще полупроводника и у границы с диэлектриком. Если к полупроводнику p-типа приложено большое положительное напряжение относительно металла, то у границы с окислом концентрация основных носителей (дырок) станет выше, чем в толще, — это обогащение (не показано на рис.). Если приложено небольшое отрицательное напряжение, то концентрация дырок у границы будет меньше, чем в толще, и они не смогут компенсировать отрицательный заряд ионов примеси — имеем обеднение (см. рис.). Наконец, когда на полупроводник подано большое отрицательное напряжение (или на металл большое положительное, см. рис.),наличествуют не только область заряженных ионов, но и слой заряда электронов, являющихся неосновными носителями, — это инверсия.

Обычно подразумевается, что МДП-конденсатор не проводит ток. Но в случае сверхтонкого диэлектрика перенос заряда возможен, причём не вследствие повреждения или паразитных утечек, а за счёт туннелирования.

Назначение МДП-конденсаторов:

  • непосредственное применение в микросхемах в функции ёмкости (максимальная ёмкость составляет примерно ε 0 ε A / d {\displaystyle \varepsilon _{0}\varepsilon A/d} , где ε 0 ε {\displaystyle \varepsilon _{0}\varepsilon } - абсолютная диэлектрическая проницаемость, A {\displaystyle A} - площадь, d {\displaystyle d} - толщина диэлектрика);
  • использование как тестовой системы (проще, чем MISFET) при работе с новыми материалами: оптимизации их технологии, испытаниях стойкости, измерении утечек, оценке поверхностной плотности дефектов и т.п.;
  • использование в учебных целях для представления зарядовых состояний (выше) и ряда квантовых эффектов (туннелирование, поверхностное квантование);
  • использование в качестве фотодетектора или солнечного элемента;
  • [при наличии переноса заряда через диэлектрик] задействование как высокочастотных МДП-диодов (точнее, туннельных МДП-диодов).

Чаще всего МДП-конденсаторы не изготавливаются как самостоятельные приборы, а появляются как составная часть MISFET'ов (их сечение затвор-подложка). А МДП-структуры с туннельным переносом заряда появляются как составная часть ряда твердотельных элементов памяти, таких как EEPROM.

С учётом потребности полупроводниковой промышленности,наибольший интерес сейчас представляет диапазон толщин диэлектрика d {\displaystyle d} от единиц до десятков нанометров. Постепенно SiO2 вытесняется так называемыми high-k-диэлектриками с большей, чем у SiO2, диэлектрической проницаемостью.

Что такое Il Popolo d’Italia - определение