атомная, периодическое пространственное расположение и ориентация атомных магнитных моментов в магнитоупорядоченном кристалле (ферро-, ферри- или антиферромагнетике). Атомную М. с. следует отличать от доменной магнитной структуры, определяемой характером и взаимным расположением доменов (См. Домены). Периодичность расположения атомных магнитных моментов в пространстве определяется кристаллической структурой вещества. За взаимную ориентацию моментов ответственно Обменное взаимодействие электрич. природы, за их общую ориентацию относительно кристаллографических осей - силы магнитной анизотропии. Более сложные (и слабые) типы магнитного взаимодействия могут усложнять атомную М. с. (см. Метамагнетик).

Различают два основных класса магнитных веществ, связанных с определённой атомной М. с.: вещества с ненулевым суммарным макроскопическим магнитным моментом М (М ¹ 0) и вещества с М = 0. Первому случаю соответствует ферромагнитная М. с. (рис. 1, а): магнитные моменты всех атомов выстраиваются вдоль одного направления (оси лёгкого намагничивания (См. Ось лёгкого намагничивания)), которое может быть различным у разных кристаллов. Второму случаю соответствует антиферромагнитная М. с. (рис. 1, б): у каждого магнитного момента в ближайшем окружении имеется компенсирующий момент, ориентированный строго антипараллельно. В зависимости от характера ближайшего окружения могут осуществляться различные антиферромагнитные М. с. (например, структуры, показанные на рис. 1, б, в и г). Антиферромагнитные М. с. могут иметь периоды большие, чем периоды атомной структуры, в целое число раз. Иногда осуществляются антиферромагнитные М. с. с ориентацией магнитных моментов вдоль двух или трёх осей и ещё более сложные - зонтичные, треугольные и другие (рис. 1, д, е).

Близки к антиферромагнитной М. с. ферримагнитные структуры с М ¹ 0. Они имеют место, когда антиферромагнитная М. с. образуется атомами или ионами с разными по величине магнитными моментами (рис. 1, ж). При этом значение М определяется величиной разности моментов двух магнитных подрешёток (систем одинаково ориентированных магнитных моментов). Другой случай осуществляется в слабых ферромагнетиках: наличие дополнительных сил межатомного воздействия приводит к неколлинеарности магнитных моментов и появлению суммарной ферромагнитной составляющей (рис. 1, з). См. Слабый ферромагнетизм.

Более сложный (дальнодействующий) характер межатомного взаимодействия в некоторых случаях приводит к установлению геликоидальных М. с. В последних магнитные моменты соседних атомов повёрнуты друг относительно друга так, что концы изображающих их векторов лежат на одной спиральной линии. В зависимости от величины проекции магнитных моментов на направление оси спирали различают несколько видов геликоидальных М. с. (рис. 2). Существенное отличие геликоидальных М. с. от остальных М. с. заключается в том, что в общем случае шаг спирали несоизмерим с соответствующим периодом кристаллической решётки и, кроме того, зависит от температуры.

Полная классификация М. с. основывается на теории магнитной симметрии (См. Симметрия), учитывающей не только расположение, но и ориентацию атомных магнитных моментов в кристалле. В число преобразований магнитной симметрии, кроме обычных поворотов вокруг осей симметрии, отражения в плоскостях симметрии и трансляций, дополнительно входит преобразование R, изменяющее направления магнитных моментов на противоположные. Введение преобразования R увеличивает число классов симметрии с 32 до 122, а число пространственных групп симметрии - с 230 до 1651. Вещества, обладающие М. с., описываются теми группами магнитной симметрии, в которые R входит в виде произведений с обычными элементами симметрии кристаллов (См. Симметрия кристаллов).

М. с. кристалла и его физические (в первую очередь магнитные) свойства тесно взаимосвязаны. Поэтому косвенные суждения о М. с. могут быть высказаны на основе данных об этих физических свойствах вещества. Прямые данные о М. с. кристаллов позволяет получить магнитная Нейтронография. Со времени первой работы в этой области (1949) нейтронографически установлена М. с. более тысячи различных металлов, сплавов и химических соединений. Для установления М. с. может быть использован также ядерный гамма-резонанс (Мёссбауэра эффект).

Лит.: Изюмов Ю. А., Озеров Р. П., Магнитная нейтронография. М., 1966: Вонсовский С. В., Магнетизм, М., 1971: Копцик В. А., Шубниковские группы, М., 1966.

Р. П. Озеров.

Рис. 1. Типы магнитных структур: а - ферромагнитная, периоды атомной а и магнитной а_м элементарных ячеек совпадают; б, в и г - антиферромагнитные структуры, а_м в некоторых направлениях в два раза больше а; д - треугольная; е - зонтичная; ж - ферромагнитная; з - слабоферромагнитная, угол склонения на рисунке сильно увеличен.

Рис. 2. Примеры спиральных магнитных структур (λ - период спирали): слева - простая спираль с нулевым значением проекции магнитного момента на ось спирали; справа - ферромагнитная (коническая) спираль с постоянным значением проекции магнитного момента на ось спирали.

носитель магнитной записи (См. Магнитная запись), представляющий собой тонкую гибкую ленту, состоящую из основы и магнитного рабочего слоя. Рабочие свойства М. л. характеризуются её чувствительностью при записи и искажениями сигнала в процессе записи и воспроизведения. Наиболее широко применяется многослойная М. л. с рабочим слоем из игольчатых частиц магнитно-твёрдых порошков гамма-окиси железа (γ-Fe₂O₃), двуокиси хрома (CrO₂) и гамма-окиси железа, модифицированной кобальтом, ориентированных обычно в направлении намагничивания при записи. В 1973 фирмой "Филипс" (Нидерланды) разработан высококачественный порошок с очень мелкими игольчатыми частицами железа. В качестве основы М. л. используются полиэтилентелефталатная (лучшая), поливинилхлоридная, ди- и триацетатная плёнки. Рабочий слой наносится на основу в виде магнитного лака, состоящего из магнитного порошка, связующего вещества, растворителя, пластификатора и различных добавок, улучшающих качество М. л. После нанесения магнитного лака и его затвердевания М. л. сматывается в рулоны, а затем разрезается на полосы нужной ширины. Для улучшения качества поверхности рабочего слоя М. л. каландрируют или полируют. М. л. желательно хранить в помещении с кондиционированным и обеспыленным воздухом при температуре 20 ± 5 °С и относительной влажности 60 ± 5\%. Для работы в особо тяжёлых климатических условиях применяют металлические или биметаллические М. л.

Ширина и толщина М. л. зависят от её назначения. В звукозаписи (См. Звукозапись) используют М. л. шириной 3,81 и 6,25 мм и толщиной 9, 12, 18, 27,37 и 55 мкм (кассетные и катушечные бытовые Магнитофоны, студийные магнитофоны). Видеозапись осуществляется на М. л. шириной 50,8 и 25,4 мм и толщиной 37 мкм (студийные Видеомагнитофоны), 6,25 и 12,7 мм при толщине 37 мкм (бытовые видеомагнитофоны). В запоминающих устройствах применяют М. л. шириной 12,7 мм и толщиной 37 мкм (в ЭВМ первого "поколения" использовались также М. л. шириной 19,05 и 35 мм при толщине свыше 50 мкм). В измерительной аппаратуре применяются М. л. шириной 6,25 мм и толщиной 18 мкм, а также 12,7 и 25,4 мм и толщиной 37 мкм. В кино используют перфорированные М. л. шириной 35 мм и толщиной 150 мкм. В СССР тип М. л. обозначается комбинацией из пяти элементов: первый элемент - буква, обозначает назначение (например, А - звукозапись; Т - видеозапись и так далее); второй элемент - цифра (от 0 до 9), указывает на материал основы; третий элемент - цифра (от 0 до 9), обозначает толщину М. л. (например, 2 - 18 мкм; 3 - 27 мкм и т.д.); четвёртый элемент - цифра (от 01 до 99), обозначает технологическую разработку; пятый элемент - ширина М. л. в мм. Иногда ставят шестой дополнительный буквенный индекс: П - для перфорированных М. л.; Р - для М. л. к студийным магнитофонам; Б - для М. л. к бытовым магнитофонам. Например, А-4402-6 обозначает М. л. для звукозаписи на лавсановой основе, толщиной 37 мкм, шириной 6,25 мм (технологическая разработка - 02).

Разрабатываются металлизированные М. л. с тонким рабочим слоем из сплавов Со-Ni, Со-Р, Со-N-Р и Со-W, нанесённым электроосаждением, химическим восстановлением или напылением в вакууме.

Лит.: Мазо Я. А., Магнитная лента, М., 1968; Каган Б. М., Адасько В. И., Пурэ Р. Р., Запоминающие устройства большой емкости, М., 1968.

Я. А. Мазо, Д. П. Брунштейн.