комплекс сооружений, возводимых при устройстве дороги над водотоком. В состав М. п. входят: собственно Мост, насыпи подходов к нему, Регуляционные сооружения (главным образом дамбы (См. Дамба)), обеспечивающие плавный проток воды через отверстие моста без возникновения местных резких повышений скорости течения, Берегоукрепительные сооружения (подпорные и ограждающие стенки, габионы и т. п.), предотвращающие размыв берегов и насыпей подходов. Выбор места М. п., определение величины отверстия моста, а также проектирование регуляционных и берегоукрепительных сооружений осуществляют на основании изысканий, включающих уточнение топографии района, изучение водного режима и сбор данных о свойствах грунтов русла.

Н. Н. Богданов.

Подъёмный кран, имеющий металлоконструкцию ферменного или балочного типа, выполненную в виде опорного или подвесного моста. Мост перемещается по подкрановым рельсам вдоль пролёта цеха или открытой грузовой площадки. По мосту поперёк пролёта передвигается крановая тележка с грузозахватным приспособлением. Конструктивные разновидности М. к.: консольный, полукозловый, козловый краны и мостовой перегружатель.

мост с пролётными строениями, основными несущими конструкциями которых служат балки или балочные фермы, работающие на изгиб. Различают: разрезные балочные пролётные строения, опирающиеся (каждое по концам) на 2 опоры, и неразрезные - на 3 и более опор. Б. м. могут иметь главные балки сплошного сечения или сквозные главной формы. Пролётные строения Б. м. выполняют из стали, железобетона или дерева. Мосты с балками сплошного сечения обычно имеют пролётные строения с ездой поверху. В мостах со сквозными фермами пролётные строения часто делают с ездой понизу. В современном мостостроении Б. м. наиболее распространены. См. также Мосты.

Н. Н. Богданов.

область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р-области Э.-д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из n -области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Однако после ухода дырок в n-области остаются отрицательно заряженные акцепторные атомы, а после ухода электронов в n-области - положительно заряженные донорные атомы. Т. к. акцепторные и донорные атомы неподвижны, то в области Э.-л. п. образуется двойной слой пространственного заряда - отрицательные заряды в р-области и положительные заряды в n -области (рис. 1). Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через Э.-д. п.; в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения полный ток через Э.-д. п. равен нулю. Т. о., в Э.-д. п. существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течёт к Э.-д. п. и проходит через него под действием контактного поля, а равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через Э.-д. п. в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (Потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (Контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.

Внешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Если положит. потенциал приложен к р-области, то внешнее поле направлено против контактного, т. е. потенциальный барьер понижается (прямое смещение). В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Концентрация неосновных носителей по обе стороны Э.-д. п. увеличивается (инжекция неосновных носителей), одновременно в р- и n-области через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих нейтрализацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через Э.-д. п. При повышении приложенного напряжения этот ток экспоненциально возрастает. Наоборот, приложение положит, потенциала к и-области (обратное смещение) приводит к повышению потенциального барьера. При этом диффузия основных носителей через Э.-д. п. становится пренебрежимо малой.

В то же время потоки неосновных носителей не изменяются, поскольку для них барьера не существует. Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через Э.-д. п. течёт ток I_s (ток насыщения), который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения. Т. о., зависимость тока 1 через Э.-д. п. от приложенного напряжения U (вольтамперная характеристика) обладает резко выраженной нелинейностью (рис. 2). При изменении знака напряжения ток через Э.-д. п. может меняться в 10⁵-10⁶ раз. Благодаря этому Э.-д. п. является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов (см. Полупроводниковый диод). Зависимость сопротивления Э.-д. п. от U позволяет использовать Э.-д. п. в качестве регулируемого сопротивления (Варистора).

При подаче на Э.-д. п. достаточно высокого обратного смещения U = U_пр возникает электрический пробой, при котором протекает большой обратный ток (рис. 2). Различают лавинный пробой, когда на длине свободного пробега в области объёмного заряда носитель приобретает энергию, достаточную для ионизации кристаллической решётки, туннельный (зинеровский) пробой, возникающий при туннелировании носителей сквозь барьер (см. Туннельный эффект), и тепловой пробой, связанный с недостаточностью теплоотвода от Э.-д. п., работающего в режиме больших токов.

От приложенного напряжения зависит не только проводимость, но и ёмкость Э.-д. п. Действительно, повышение потенциального барьера при обратном смещении означает увеличение разности потенциалов между п- и р-областями полупроводника и, отсюда, увеличение их объёмных зарядов. Поскольку объёмные заряды являются неподвижными и связанными с кристаллической решёткой ионами доноров и акцепторов, увеличение объёмного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением ёмкости Э.-д. п. При прямом смещении к ёмкости слоя объёмного заряда (называется также зарядной ёмкостью) добавляется т. н. диффузионная ёмкость, обусловленная тем, что увеличение напряжения на Э.-д. п. приводит к увеличению концентрации неосновных носителей, т. е. к изменению заряда. Зависимость ёмкости от приложенного напряжения позволяет использовать Э.-д. п. в качестве варактора - прибора, ёмкостью которого можно управлять, меняя напряжение смещения (см. Параметрический полупроводниковый диод).

Помимо использования нелинейности вольтамперной характеристики и зависимости ёмкости от напряжения, Э.-д. п. находит многообразные применения, основанные на зависимости контактной разности потенциалов и тока насыщения от концентрации неосновных носителей. Их концентрация существенно изменяется при различных внешних воздействиях - тепловых, механических, оптических и др. На этом основаны различного рода датчики: температуры, давления, ионизирующих излучений и т. д. Э.-д. п. используется также для преобразования световой энергии в электрическую (см. Солнечная батарея).

Э.-д. п. являются основой разного рода полупроводниковых диодов, а также входят в качестве составных элементов в более сложные Полупроводниковые приборы - Транзисторы, Тиристоры и т. д. Инжекция и последующая рекомбинация неосновных носителей в Э.-д. п. используются в светоизлучающих диодах (См. Светоизлучающий диод) и инжекционных лазерах (См. Инжекционный лазер).

Э.-д. п. может быть создан различными путями: 1) в объёме одного и того же полупроводникового материала, легированного в одной части донорной примесью (р-область), а в другой - акцепторной (n-область); 2) на границе двух различных полупроводников с разными типами проводимости (см. Полупроводниковый гетеропереход); 3) вблизи контакта полупроводника с металлом (См. Металлы), если ширина запрещенной зоны полупроводника меньше разности работ выхода (См. Работа выхода) полупроводника и металла; 4) приложением к поверхности полупроводника с электронной (дырочной) проводимостью достаточно большого отрицательного (положительного) потенциала, под действием которого у поверхности образуется область с дырочной (электронной) проводимостью (инверсный слой).

Если Э.-д. п. получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник (например, акцепторной примеси в кристалл с проводимостью n-типа), то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий Э.-д. п.). Если используется диффузия примесей, то образуется плавный Э.-д. п. Плавные Э.-д. п. можно получать также выращиванием монокристалла из расплава, в котором постепенно изменяют содержание и характер примесей. Получил распространение метод ионного внедрения (См. Ионное внедрение) примесных атомов, позволяющий создавать Э.-д. п. заданного профиля.

Лит.: Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967; Пикус Г. Е., Основы теории полупроводниковых приборов, М., 1965; Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970; СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972; Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977.

Э. М. Эпштейн.

Рис. 1. Схема p-n-перехода: чёрные кружки - электроны; светлые кружки - дырки.

Рис. 2. Вольтамперная характеристика р - n-перехода: U - приложенное напряжение; I - ток через переход; Is - ток насыщения; Unp - напряжение пробоя.

МОСТ, моста (моста ·обл.), о мосте, на мосту, мн. мосты, ·муж.

1. Сооружение, соединяющее два пункта на земной поверхности, разделенные водою, рвом или каким-нибудь ·др. препятствием и дающее возможность сообщаться между ними. Мост через Волгу. Подъемный мост. Висячий мост. Понтонный мост. Разводный мост. Навести мост. Перейти по мосту на другой берег. Железнодорожный мост.

2. перен. Что-нибудь соединяющее, служащее посредствующим звеном между кем-чем-нибудь (·книж. ). Перебросить мост между двумя враждующими лагерями.

3. Вытянутое положение тела, обращенного грудью вверх и опирающегося на пол, на землю ладонями и пятками (в атлетике; спорт.). Сделать мост.

4. Помост из досок, бревен и т.п., настил (·обл. и спец.). Мост в сенях избы.

5. Часть шасси автомашины, расположенная над осями (тех.). Задний мост. Передний мост.

6. Специальная планка, на которой укреплен ряд искусственных зубов (спец.).

то же, что Электронно-дырочный переход.