обеззараживание семян, посадочного материала протравителями для защиты растений в начале роста и развития от грибных, бактериальных или вирусных болезней. Одновременно П. предупреждает проникновение патогенных микроорганизмов в ткани семян в период хранения, повышает их энергию прорастания и всхожесть, профилактирует занос возбудителей заболеваний с семенным материалом.

В зависимости от особенностей строения и степени заражённости семян и посадочного материала, биологии микроорганизмов, свойств протравителей П. бывает влажным, сухим, полусухим. При влажном П. семена обильно смачивают раствором препарата (главным образом формалином), затем прикрывают их мешковиной или брезентом и томят 2 ч, после чего просушивают. Этот способ трудоёмок и используется лишь для П. небольших партий семян ценных сортов пшеницы, ячменя, проса и т.д., зараженных возбудителями головни. При сухом П. протравитель наносится на семена или посадочный материал в виде тонкомолотого порошка. Способ применяется для обеззараживания семян зерновых, овощных и технических культур, семенных луковиц, корнеплодов, клубней. Недостатки сухого П. - относительно невысокая прилипаемость препаратов к поверхности семян, значительное распыление, ухудшающее санитарно-гигиенические условия труда. Полусухое П. - нанесение порошковидных препаратов на увлажнённые семена или обработка семян суспензией, полученной в результате смешивания порошковидного протравителя с водой. Расход суспензии препарата или воды для смачивания семян 5-10 л на 1 т. Для лучшего удерживания протравителей на поверхности семян в воду добавляют прилипательные добавки: концентрат сульфитно-спиртовой барды, силикатный клей, мучной клейстер, патоку, обрат и др. За рубежом известны разновидности полусухого способа П.: "слурри" - обмазывание семян густой суспензией протравителя; по типу "паноген" - нанесение ртутьорганических протравителей на семена в виде растворов (из расчёта 200 мл на 100 кг семян). Полусухое П. используется для семян плёнчатых зерновых культур (овёс, ячмень) против головнёвых заболеваний. Оно наиболее перспективно (не требует подсушивания семян, т.к. влажность их увеличивается лишь на 0,5-1\%, более выгодно в санитарно-гигиеническом отношении).

Нередко П. называют термическое обеззараживание семян - уничтожение возбудителей болезней на семенном материале с помощью повышенных температур (нагретым воздухом 40-90 °С, горячей водой 50-60 °С), которое используется главным образом для защиты пшеницы и ячменя от пыльной головни, когда возбудитель находится глубоко в тканях семени и уничтожить его химическим способом без ухудшения посевных качеств семян невозможно.

Для П. применяют специальные машины (см. Протравливатель), аппараты и приспособления. Наименее эффективно П. семян и посадочного материала в день посева или посадки, наиболее эффективно - за 5-8 мес до высева или посадки. П. проводят в спецодежде, на открытой площадке или под навесом, которые должны находиться не ближе чем за 200 м от жилых и животноводческих помещений и источников питьевой воды. Продолжительность рабочего дня не более 4 ч. См. также Протравители семян.

Лит.: Калашников К. Я., Протравливание семян сельскохозяйственных культур, Л. - М., 1961.

К. Я. Калашников.

ПРОТР'АВЛИВАНИЕ, протравливания, мн. нет, ср. (спец.). Действие по гл. протравливать
(см. протравить
в 1, 2 и 3 ·знач. ).

в технике, растворение поверхности твёрдых тел с практической целью (в отличие от коррозии (См. Коррозия)). Различают Т. технологическое - для обработки и изменения формы поверхности металлов, полупроводников, стекла, древесины и др. материалов, и структурное - для выявления структуры кристаллических материалов (см. Металлография, Минералогия).

Технологическое Т. (чаще всего химическое) применяется, например, для очистки от окалины или для получения требуемого вида поверхности металлических полуфабрикатов, при лужении, пайке. Т. типографских клише заключается в обработке кислотой участков металлических (преимущественно цинковой) пластины, не защищенных кислотоупорным слоем; при Т. эти участки оказываются углублёнными. Подобное Т. для создания необходимого профиля поверхности широко распространено в современной технологии полупроводниковых приборов (См. Полупроводниковые приборы), для изготовления интегральных схем (См. Интегральная схема) (см. также Микроэлектроника) и печатных плат в электронике (см. Печатные схемы (См. Печатная схема)). Для получения нужного рисунка схемы на полупроводниковые кристаллы или покрытые металлической фольгой (медной, алюминиевой, олово-никелевой и др.) печатные платы наносится химически стойкий слой диэлектрика, а свободные от него участки подвергаются Т., например для удаления металлического слоя. Т. полупроводниковых материалов - важная операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии (см. Эпитаксия) - для очистки поверхности от загрязнений и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (например, для вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных Транзисторов); для ограничения площади р-n-переходов в готовых диодных и триодных структурах. Стекло подвергают Т. для образования на нём рисунка или матовой поверхности, дерево - для придания не свойственного ему вида. Электрохимическое Т. успешно применяется для металлов и сплавов, химическое Т. которых затруднено (тантал, молибден, вольфрам, жаропрочные сплавы), а также для полупроводников. Преимущества электрохимического Т. по сравнению с химическим - чистота поверхности (на ней не остаётся никакого осадка) и чрезвычайная гибкость в управлении процессом.

Структурное Т. - протравливание полированных шлифов кристаллических материалов, поверхности слитков и полуфабрикатов, граней или сколов кристаллов различными химическими реактивами; при этом выявляются особенности химического и фазового состава и кристаллического строения, которые можно наблюдать невооруженным глазом (Макроструктура) или с помощью микроскопа (Микроструктура). Структурное Т. используется для научных исследований, в прикладной минералогии (в том числе для диагностики рудных минералов) и в промышленности - для контроля структуры при производстве металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков. По симметрии фигур Т. на гранях определяют ориентацию кристаллов. Метод фигур Т. успешно применяется главным образом в технологии полупроводников, для выявления дефектов в кристаллах (См. Дефекты в кристаллах); малоугловых и двойниковых границ, дислокаций (См. Дислокации) и дефектов упаковки.

Лит.: Жадан В. Т., Гринберг Б. Г., Никонов В. Я., Технология металлов и других конструкционных материалов, 2 изд., М., 1970; Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Справочник по печатным схемам, пер. с англ., М., 1972; Коваленко В. С., Металлографические реактивы. Справочник, 2 изд., М., 1973; Курносов А. И., Юдин В. В., Технология производства полупроводниковых приборов, М., 1974; Пшеничнов Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974.

Г. В. Инденбаум.

ТРАВЛ'ЕНИЕ, травления, мн. нет, ср. (спец.). Действие по гл. травить
¹ в 6 и 7 ·знач.

II. ТРАВЛ'ЕНИЕ, травления, мн. нет, ср. (мор., авиац.). Действие по гл. травить
².