Тиристор, перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике (См.
Полупроводники) генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (См.
Электронно-дырочный переход) (см.
Фотоэдс)
. В результате через
р - n-переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.
Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с
р-n-р-n-cтруктурой, обычно из кремния (См.
Кремний)
, расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым
n-эмиттером и с освещаемой
р-базой.
Пригодные для управления Ф. источники излучения - электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.
Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) порядка 1-102 мвт. Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,
В. М. Курцин.