ванна с гидравлическим затвором - перевод на французский
DICLIB.COM
Языковые инструменты на ИИ
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:     

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология

ванна с гидравлическим затвором - перевод на французский

MOSFET; Мосфет; МДП-транзистор; Полевой транзистор с изолированным затвором; Униполярный транзистор с изолированным затвором; MISFET
  • Схема включения транзистора
  • Структура МОП-транзистора. G — Gate (затвор), S — Source (исток), D — Drain (сток)
  • Выходная (стоковая) характеристика полевого транзистора с каналом n-типа
  • 80px
  • 80px
  • 80px

ванна с гидравлическим затвором      
cuve à fermeture hydraulique; cuve à joint hydraulique
наблюдательный пункт         
le poste d'observation
стрельба с закрытой позиции         
tir indirect

Определение

Присоединяется к словам иногда для придания речи оттенка подобострастия, вежливости, а также для придания речи оттенка иронического
Ну-с, рассказывайте, что у вас тут произошло.

Википедия

МОП-транзистор

МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, сокращённо «MOSFET») — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.

МОП-транзистор имеет три вывода: затвор, исток, сток (см. рис.). Тыльный контакт (B) обычно соединяется с истоком. В области вблизи поверхности полупроводника создаётся при изготовлении или индуцируется (возникает при приложении напряжений) так называемый канал. Величина тока в нём (тока исток—сток) зависит от напряжений исток—затвор и исток—сток.

Полупроводниковым материалом чаще всего является кремний (Si), а металлический затвор отделяется от канала тонким слоем изолятора — диоксида кремния (SiO2). Если SiO2 заменён неоксидным диэлектриком (Д), используется название МДП-транзистор (англ. MISFET, I = insulator).

В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как затвор изолирован от стока и истока; такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.

МОП-транзисторы — основа современной электроники. Они являются самым массово производимым промышленным изделием, эти транзисторы используются в современных цифровых микросхемах, являясь основой КМОП-технологии.