Словосочетание "Czochralski technique" представляет собой существительное в английском языке.
/fʌkˈtsɪn/
Техника Чохральского — это метод выращивания кристаллов, наиболее часто используемый для получения монокристаллов полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Этот процесс включает в себя вытягивание кристалла из расплавленного материала, и он часто используется в производстве полупроводников для электроники. Термин "Czochralski technique" чаще встречается в письменной форме, особенно в технической и научной литературе.
Метод Чохральского широко используется в полупроводниковой промышленности.
Researchers are improving the efficiency of the Czochralski technique for better crystal quality.
Исследователи улучшают эффективность техники Чохральского для повышения качества кристаллов.
The Czochralski technique allows for the growth of large and high-quality single crystals.
Хотя "Czochralski technique" не является частью идиоматических выражений в английском языке, она играет важную роль в специализированной научной и технической лексике, где обсуждается технология кристаллического роста.
Термин "Czochralski" происходит от имени польского физика Jan Czochralski, который разработал эту технику в 1916 году. Слово "technique" происходит от греческого "techne", что означает искусство или мастерство.
Синонимы: - Crystal growth method (метод роста кристаллов)
Антонимы: - Amorphous material processing (обработка аморфных материалов)
Таким образом, техника Чохральского является важной частью современной науки и технологии, особенно в области материаловедения и электроники.